买卖IC网 >> 产品目录 >> SIA419DJ-T1-E3 MOSFET 20V 12A 19W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIA419DJ-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 12A 19W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 12A 19W
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 5 V
漏极连续电流 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 30 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SC-70-6L
封装 Reel
相关资料
属性
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代理商 SIA419DJ-T1-E3
SIA419DJ-T1-GE3
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SIA425EDJ-T1-GE3
SIA426DJ-T1-GE3
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北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
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  • SIA419DJ-T1-E3 参考价格
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